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合肥晶合集成推出110nm_LP MCU全平台解决方案

问芯Voice 2022-07-03

The following article is from 晶合集成 Author 晶合


2020 年 12 月,合肥晶合集成电路股份有限公司(以下简称 “晶合集成”)与矽成积体电路股份有限公司 (以下简称 “ISSI”)、成都锐成芯微科技股份有限公司(以下简称 “锐成芯微”)联合推出 110nm-AL MCU 全平台解决方案(图 1)。该平台为晶合集成 “显像微电”(显示器驱动、图像传感、微控制器、电源管理)四大特色工艺中重要的 “微” 一环。



嵌入式闪存 (110LP-eFlash):基于 110nm LP 1.5V/5V 低功耗逻辑工艺的嵌入式闪存平台。面向容量介于 16KB/32KB-256KB,擦写次数大于 100K 次的 MCU 应用。采用 ISSI 第二代架构 2T-pFlash (pFusion®) 的记忆体模块,搭配锐成芯微的全套低功耗模拟 IP 方案: 


1)NVM IP:ISSI pFusion® 第二代架构。在第一代架构低功耗、高速度、高抗干扰能力及高可靠性的基础上,显著提升可靠性的工艺窗口(图 2),特别适用于高可靠性需求的工规及车规应用;客制化的 pFusion® 模块允许同时存在不同大小的擦除区块,提升系统配置弹性,满足客戶多种应用场景需求。



2)模拟 IP:锐成芯微的全套低功耗模拟 IP 方案具有卓越的静态功耗 (nA 级),极大降低了芯片在待机模式下的整体功耗。在功耗、性能和成本上实现极佳平衡,可以广泛应用於 MCU、IoT, smart card,wireless、power meters 以及车规系统。2020 年晶合集成成功导入多家嵌入式闪存客户产品验证并于 12 月进入投片量产。


MTP (110LP-MTP):基于 110nm LP 1.5V/5V 低功耗逻辑工艺的 MTP(Multiple-Time Programming)平台。面向容量 1KB-16KB/32KB,擦写次数介于 10 次 - 10K 次的 MCU 应用。锐成芯微的 LogicFlash® IP 提供业界最小的 MTP IP。具有擦写次数大于 10K 次,高温数据保存大于 10 年,高速读写及低芯片测试成本等优势,满足低成本高性能 MCU 的应用需求,可广泛应用于工业和家电类产品,例如锂电池供电的物联网、智能家居、智能穿戴类应用。目前已经成功导入客户并进入投片量产。


晶合集成的 110nm 全铝后段 12 寸生产线可为客户在 MCU 及低功耗 SOC 产品提供更具市场竞争力的代工业务和更优质的技术服务。为了更好满足客户产品日益增长的更新迭代需求,到 2022 年,晶合集成还将在 55nm 逻辑工艺基础上推出 55nm 嵌入式闪存工艺平台,进一步为客户提供 128KB-1MB 高性能 MCU 平台解决方案。


关于合肥晶合集成电路股份有限公司


合肥晶合集成电路股份有限公司(简称 “晶合集成”)成立于 2015 年 5 月,专注于半导体晶圆生产代工服务。截至 2020 年 11 月产能突破 3 万片 / 月,实现了在手机面板驱动芯片代工领域领先的目标。晶合集成初期的主要产品为面板驱动芯片,后续将以客户需求为导向,结合平板显示、汽车电子、家用电器、工业控制、人工智能、物联网等产业发展趋势,进一步拓展微控制器 (MCU)、CMOS 图像传感器 (CIS)、电源管理 (PMIC) 、人工智能物联网 (AIoT) 等不同应用领域芯片代工,矢志成为中国最卓越的集成电路专业制造公司之一。


关于矽成积体电路股份有限公司


矽成积体电路股份有限公司(简称 “ISSI”)成立于 1988 年,是一家技术领先的集成电路设计企业。公司专注于汽车电子、网络通信、工控医疗及数字消费电子四个领域,为此设计开发高性能 IC 芯片,主要产品包括 DRAM、SRAM、FLASH 及混合模拟信号产品。除此之外,矽成也拥有独立自主研发的 embedded flash(pFusion)智财权(IP),透过技术授权于各大芯片代工厂及设计公司,量产工艺从 180nm 到 55nm,累计的出货片数远大于一百万片晶圆;以第三方的 e-flash IP 来说,目前是属于世界领先的供应商之一。


关于成都锐成芯微科技股份有限公司


锐成芯微成立于 2011 年,是一家专注于集成电路 IP 核技术研发及服务的国家高新技术企业,总部位于成都,在国内多地设有分支机构。锐成芯微是国内领先的同时拥有超低功耗模拟 IP 技术、高可靠性嵌入式存储 IP 技术、高性能 RF 技术和高速数据传输 IP 技术的企业,目前已与国内外 20 多家晶圆代工厂开展合作,产品覆盖从 14/16nm 到 180nm 的 CMOS, BiCMOS, BCD, SiGe, HV,FinFET,FD-SOI 等几十个工艺制程,累计开发 IP 500 多项,国内外申请专利超 200 件,服务全球 300 多家集成电路设计企业,产品广 泛应用于物联网、智能家居、汽车电子、智慧电源、可穿戴、医疗电子、工业控制等领域。


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此内容著作权归合肥晶合集成电路股份有限公司 (“晶合集成”) 所有;未经晶合集成许可,不得以任何形式加以修改、摘编。晶合集成不承担任何因其内容所衍生之责任与义务。若有任何疑问,请联系 Jiefutao@nexchip.com.cn 。


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